简答题 试说明氧化生长速率的基本定义及其物理含义，并说明影响氧化生长速率的主要工艺参数，及他们对生长速率的主要影响。

【参考答案】

氧化生长速率是用于描述氧化物在硅片上生长的快慢。当氧化剂的量足够时，SiO₂生长的快慢最终由氧化剂在SiO₂中的扩散速度和它与Si的反应速度中较慢的一个所决定。
无论氧化处于线性阶段还是抛物线阶段，氧化速率常数都与温度成指数关系，即同样的氧化时间......

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