氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%，即意味着每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。 920A
问答题什么是掺氯氧化？试说明氧化工艺中掺氯的主要优点。
问答题为什么水汽氧化生成的氧化层质量不如干氧氧化层？工艺中采用什么办法来改善其氧化层质量？
问答题试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理（或过程），并比较两种方法的主要异同点。
问答题什么是氧化硅中网络形成者和网络改变者？并举二例说明它们对氧化层结构和性质的影响。
问答题指出硅工艺中厚度最小的和最大的氧化层的主要应用，并说明它们的作用是否相同，以及为什么。
