F:number/(cm2-s) C:number/cm3; F1:气体输运流量; F2:通过SiO2的扩散流量; F3:在界面处的反应流量; CG:气相区氧化剂浓度; CS:氧化物外表面氧化剂浓度; CO:氧化物内表面氧化剂浓度; CI:氧化物生长界面氧化剂浓度。
问答题是说明什么是迪尔—格罗夫模型?试给出迪尔—格罗夫模型两种极限情况的示意图。并说明其物理意义。
问答题氧化硅的热动力学生长过程中包括哪几个主要过程?并说明每一种过程中的什么因素对氧化生长速率有影响?其中决定因素是什么?
问答题热生长厚度是2000A的氧化层后,Si-SiO2的界面与原来的硅表面的高度差为多少?为什么?
问答题什么是掺氯氧化?试说明氧化工艺中掺氯的主要优点。
问答题为什么水汽氧化生成的氧化层质量不如干氧氧化层?工艺中采用什么办法来改善其氧化层质量?