问答题氧化硅的热动力学生长过程中包括哪几个主要过程?并说明每一种过程中的什么因素对氧化生长速率有影响?其中决定因素是什么?
问答题热生长厚度是2000A的氧化层后,Si-SiO2的界面与原来的硅表面的高度差为多少?为什么?
问答题什么是掺氯氧化?试说明氧化工艺中掺氯的主要优点。
问答题为什么水汽氧化生成的氧化层质量不如干氧氧化层?工艺中采用什么办法来改善其氧化层质量?
问答题试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理(或过程),并比较两种方法的主要异同点。