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问答题

简答题 试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理(或过程),并比较两种方法的主要异同点。

【参考答案】

干氧氧化:氧化开始时,是氧分子与硅片表面的硅原子进行化学反应,形成初始氧化层,其反应方程式为:Si+O2→SiO2;之后的继续氧化是氧原子扩散穿过氧化层到达SiO2-S界面进行反应。
水汽氧化:一开始是水汽在高温下......

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