麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。……

单项选择题‍形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？（）

A.可以，实际注硼：QB
B.不可以
C.可以，实际注硼：QB+QSb
D.可以，实际注硼：QB-QSb

单项选择题在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。

A.横向效应，>
B.横向效应，<
C.沟道效应，<
D.沟道效应，>

多项选择题‌关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）

A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率
C.温度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快

单项选择题在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）

A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）

填空题在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。