A.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低B.生长十几nm厚的栅氧化层时,服从线性氧化速率C.温度升高氧化速率迅速增加D.(111)硅比(100)硅氧化得快
单项选择题在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?()
A.(100)B.(111)C.(110)D.(211)
多项选择题关于铝膜下列哪种说法正确?()
A.耐腐蚀性好B.与硅接触可能出现尖楔现象C.抗电迁移性差D.稳定性好
多项选择题看图判断,下列哪种描述正确?()
A.图(b)是注入的低能离子B.图(b)是注入的高能离子C.图(a)是注入的低能离子D.图(a)是注入的高能离子
多项选择题扩散系数是表征扩散快慢的参数,它相当于单位浓度梯度时的扩散通量,所以它()
A.单位为m2/sB.有单位C.无单位D.单位为m/s
多项选择题P在两歩扩散工艺中,第二步再分布的同时又进行了热氧化(kp=10),这会给再分布扩散带来哪些影响?()
A.P扩散速度加快B.扩入Si的P总量下降C.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭(是指低于SiO2一侧)D.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积(是指高于SiO2一侧)