填空题铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。
填空题干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。
填空题多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。
填空题制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。
填空题在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了（）μm。
