中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。

判断题CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。

多项选择题蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）

A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化
B.为了降低镀膜中的杂质
C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程
D.为了制备的镀膜表面更平坦

单项选择题PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）

A.CVD普适性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工艺温度更低
D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差

单项选择题下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）

A.空位
B.填隙杂质
C.自填隙
D.替位杂质

单项选择题CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）

A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭
B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭
C.多晶硅原料纯度不够高
D.干锅清洗不干净造成