A.对温度不太敏感B.对温度非常敏感C.源的气相扩散的影响不大D.源气体分压的影响不大
判断题涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
判断题实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
判断题中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。
判断题CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。
多项选择题蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）
A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化B.为了降低镀膜中的杂质C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程D.为了制备的镀膜表面更平坦
