实际扩散过程中，杂质除了进行垂直于晶片表面进行扩散外，还有平行于表面的横向扩散。 横向扩散效应：使扩散区之间的实际距离比由光刻版确定的尺寸小；从而对集成度及扩散区结电容造成影响。
问答题什么是扩散的相互作用？试举一例说明其对半导体器件的制造有何影响及其产生的原因。
问答题说明氧化气氛对扩散有何影响及原因？
问答题根据空位机制下的总扩散系数公式，给出本征硅，低浓度掺杂，N型重掺杂及P型重掺杂下的扩散系数公式。
问答题列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。
问答题试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法，并说明当前实际工艺中使用的主要方法及理由。
