本征硅的扩散系数：硅中空位主要是中性空位； 低掺杂（本征）下的扩散系数：杂质浓度与本征载流子浓度几乎相等（n=p=ni ）； N型重掺杂下的扩散系数：硅中空位主要是负电荷； P型重掺杂下的扩散系数：硅中空位主要是正电荷。
问答题列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。
问答题试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法，并说明当前实际工艺中使用的主要方法及理由。
问答题淀积扩散主要受哪些因素的控制？
问答题举例说明什么是同型掺杂和反型掺杂及各自的目的。
问答题试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤，并说明个步骤的主要作用和工艺温度。
