A.选择合适的掩蔽膜B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化C.退火D.高压氧化工艺消除鸟嘴效应的……

单项选择题湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

单项选择题硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm

单项选择题下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

A.金属离
B.微粒
C.纯度
D.浓度

单项选择题如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

A.化学物质
B.金属离子
C.融解的氧气
D.细菌

单项选择题目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

A.注氧隔离法
B.智能剥离法
C.键合再减薄技术
D.以上都是