衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）-找考题网

填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

填空题CMOS的英文全称是（）

填空题在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。

填空题pn结有电容效应，分为（）

填空题电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。半导体中的主要散射机构是（）

填空题晶体中电子的能量状态是（）的。电子在各状态上的分布遵守（）分布规律。

填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。

填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。

填空题固体分为（）和（）两大类。

填空题Arm7TDMI中，T代表（）、D代表（）、M代表（）、I代表（）

填空题MCS80C51是CISC CPU，属于哈佛结构，arm属于（）CPU。

填空题ARM处理器包含两种指令集（）、（）

填空题RISC CPU的三大特点是（）、（）、（）

填空题SoC的设计基于IP Core的复用，IP Core包括三种（）、（）、（）

填空题AMBA是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准，它包括ASB、（）、（）等三套总线。