填空题CMOS的英文全称是()
填空题在放大模式偏置下,双极型晶体管的EB结(),CB结反向偏置。
填空题pn结有电容效应,分为()
填空题电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用,因而不断地改变运动方向。半导体中的主要散射机构是()
填空题晶体中电子的能量状态是()的。电子在各状态上的分布遵守()分布规律。
填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子,同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的()型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子,同时向价带提供空穴.使半导体成为空穴导电的()型半导体。
填空题半导体材料中锗和硅属于()结构,砷化镓属于()结构。
填空题固体分为()和()两大类。
填空题Arm7TDMI中,T代表()、D代表()、M代表()、I代表()
填空题MCS80C51是CISC CPU,属于哈佛结构,arm属于()CPU。
填空题ARM处理器包含两种指令集()、()
填空题RISC CPU的三大特点是()、()、()
填空题SoC的设计基于IP Core的复用,IP Core包括三种()、()、()
填空题AMBA是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准,它包括ASB、()、()等三套总线。
填空题随着1000M网卡等高速设备的出现,传统的PCI总线无法满足PC系统的数据传输需求,INTEL于2001年提出了第三代局部总线技术()