简答题 试说明氧化层在硅工艺中的四种主要用途及主要原因，并举例说明各种用途的主要目的。

【参考答案】

掺杂阻挡层；器件保护层；表面钝化层；电学隔离层；器件介质层。
选择扩散的掩蔽层：选择扩散从而实现在特定的区域里的掺杂（定域掺杂）。SiO₂作为最常见的阻挡层能阻挡掺杂剂进入非掺杂区域。
主要原因：硅技术中用到的所有掺杂剂在SiO₂中的扩......

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