多项选择题关于铝膜下列哪种说法正确?()
A.耐腐蚀性好B.与硅接触可能出现尖楔现象C.抗电迁移性差D.稳定性好
多项选择题看图判断,下列哪种描述正确?()
A.图(b)是注入的低能离子B.图(b)是注入的高能离子C.图(a)是注入的低能离子D.图(a)是注入的高能离子
多项选择题扩散系数是表征扩散快慢的参数,它相当于单位浓度梯度时的扩散通量,所以它()
A.单位为m2/sB.有单位C.无单位D.单位为m/s
多项选择题P在两歩扩散工艺中,第二步再分布的同时又进行了热氧化(kp=10),这会给再分布扩散带来哪些影响?()
A.P扩散速度加快B.扩入Si的P总量下降C.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭(是指低于SiO2一侧)D.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积(是指高于SiO2一侧)
多项选择题硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少?()
A.杂质表面浓度< NsB.杂质表面浓度=NsC.应再扩散71minD.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度