多项选择题

‌P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响？（）

A.P扩散速度加快
B.扩入Si的P总量下降
C.在SiO₂/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO₂一侧）
D.在SiO₂/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO₂一侧）

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热门试题

多项选择题‏硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？（）

A.杂质表面浓度< N_s
B.杂质表面浓度=N_s
C.应再扩散71min
D.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度

单项选择题多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）

A.磁控溅射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD