基本单元:一个硅原子被四个氧原子包围着的Si—O四面体。 在SiO2的四面体单元中,每四个氧原子共价键合到一个硅原子,满足了硅原子的化合价;如果每个氧原子是两个四面体的一部分,则氧的化合价也被满足,就形成了规则的晶体结构;而如果不是每个氧原子都是两个四面体的一部分,则为非晶体结构。
问答题什么是氧化工艺?请说明氧化工艺为什么需要高温技术?
问答题试说明CMOS工艺在硅片上形成氧化物的主要方法,以及他们间的本质区别。
问答题CMOS工艺中为什么要形成侧墙?在哪一个工艺环节形成及为什么?并说明其形成步骤及主要作用。
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