CE定律发展面临的问题包括（）。

多项选择题IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍
B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变
C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍
D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍

多项选择题芯片粘接的工艺过程包括（）。

A.银浆固化
B.点银浆
C.烘烤
D.芯片粘接

多项选择题影响封装芯片特性的温度有（）。

A.热敏感度
B.物理的脆弱度
C.热的产生
D.集成度

单项选择题下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）

A.一光检查
B.三光检查
C.二光检查
D.四光检查

单项选择题封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

A.190度
B.157度
C.180度
D.175度