碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

多项选择题CE定律发展面临的问题包括（）。

A.工艺实现存在问题
B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
C.阈值电压不可能缩的太小
D.电源电压标准的改变会带来很大的不便

多项选择题IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍
B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变
C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍
D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍

判断题三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。

多项选择题芯片粘接的工艺过程包括（）。

A.银浆固化
B.点银浆
C.烘烤
D.芯片粘接

多项选择题影响封装芯片特性的温度有（）。

A.热敏感度
B.物理的脆弱度
C.热的产生
D.集成度