A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍
多项选择题芯片粘接的工艺过程包括（）。
A.银浆固化B.点银浆C.烘烤D.芯片粘接
多项选择题影响封装芯片特性的温度有（）。
A.热敏感度B.物理的脆弱度C.热的产生D.集成度
单项选择题下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
A.一光检查B.三光检查C.二光检查D.四光检查
单项选择题封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
A.190度B.157度C.180度D.175度
多项选择题互连工艺中AL的制备可选用（）。
A.电镀B.CVDC.MBED.PVD
