A.好的台阶覆盖能力B.填充高的深宽比间隙的能力C.好的厚度均匀性D.高的膜应力在硅片加工中可以接受的膜，以下……

单项选择题蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）

A.行星架转速
B.加热温度
C.熔源时间
D.tooling值

单项选择题P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）

A.SiH₄、O₂
B.SiH₄、NH₃
C.SiH₄、N₂O
D.SiH₄、N₂

单项选择题溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）

A.0.5%
B.1%
C.0.05%
D.0.1%

单项选择题P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）

A.APCVD
B.LPCVD
C.PCVD
D.PECVD

单项选择题溅射过程中通过将哪种气体轰击靶材（）

A.He气
B.N₂气
C.Ar气
D.O₂气