标准单元中关于Half Grid Spacing的说法正确的有（）

多项选择题在ICFB中完成一个完整的集成电路版图绘制，下列哪些文件是必需的（）

A.Technology文件
B.DRC文件
C.LVS文件
D.Display文件

多项选择题下列关于标准单元说法正确的是（）

A.标准单元只能采用单层金属连线，但该层可以是所给金属层次中的任意一层。
B.标准单元的高度和宽度都是固定的。
C.标准单元中必须包含电源线。
D.标准单元中的输入输出引脚要放在网格上，以便于自动绕线。

多项选择题一个标准单元库可包括如下信息（）

A.时序信息
B.逻辑功能信息
C.功耗信息
D.面积信息

单项选择题表面平垣化的方式有很多种，效果最好的方式是（）

A.Ar回蚀法
B.PSG或BPSG的热回流
C.SOG回蚀法
D.化学机械抛光

单项选择题在大马士革铜工艺中，铜薄膜通常采用（）方式获得。

A.物理气相沉积
B.化学气相沉积
C.电化学镀
D.热氧化

单项选择题在0.13um集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是（）

A.铜具有更高的导电率
B.铜具有更低的导电率
C.铜更容易刻蚀加工
D.铜具有更好热导率

单项选择题在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）

A.钨的导电率比铝更低
B.钨的刻蚀比铝更容易
C.采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力
D.钨与硅的接触性能更好

单项选择题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）

A.溅射物理气相沉积
B.蒸发物理气相沉积
C.等离子增强化学气相沉积
D.低压化学气相沉积

单项选择题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）

A.扩散
B.化学机械抛光
C.刻蚀
D.离子注入

单项选择题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。

A.刻蚀
B.离子注入
C.光刻
D.金属化