A.铜具有更高的导电率 B.铜具有更低的导电率 C.铜更容易刻蚀加工 D.铜具有更好热导率
单项选择题在集成电路多层布线中,通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因()
A.钨的导电率比铝更低 B.钨的刻蚀比铝更容易 C.采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力 D.钨与硅的接触性能更好
单项选择题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()
A.溅射物理气相沉积 B.蒸发物理气相沉积 C.等离子增强化学气相沉积 D.低压化学气相沉积
单项选择题现代集成电路制造工艺中,主流掺杂技术为()
A.扩散 B.化学机械抛光 C.刻蚀 D.离子注入
单项选择题在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。
A.刻蚀 B.离子注入 C.光刻 D.金属化
单项选择题NMOS源漏的掺杂类型分别为()
A.P+、P+ B.P+,N+ C.N+,N+ D.N+,P+
单项选择题NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。
A.P阱,P沟 B.P阱、N沟 C.N阱、N沟 D.N阱、P沟
单项选择题在集成电路加工制造中,通常所指前道工艺为()
A.集成电路制造(晶圆加工) B.集成电路封装 C.集成电路测试 D.集成电路设计
单项选择题在做集成电路的多晶硅电容设计时,要计算每个电容的容值,那么电容的面积大小是怎样计算的?()
A.第一层多晶硅的面积 B.第二层多晶硅的面积 C.二层多晶硅重叠后的面积
单项选择题做集成电路的多晶硅电阻设计时,要计算每个电阻的阻值,那么电阻的长度是怎样计算的?()
A.整个多晶硅的长度 B.多晶硅中两个引线孔中心点的距离 C.多晶硅中两个引线孔内侧的距离 D.多晶硅中两个引线孔外侧的距离
单项选择题在设计Standard cell和6TSRAM的基本单元时,我们通常都要用prboundry layer或者marker layer画一个矩形,覆盖上这个单元里的所有器件,这一层的物理作用是什么?()
A.没什么物理意义,它只是在做单元拼接的时候起一个标记作用。 B.做联接层。 C.可以当nwell层用。