在0.13um集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是（）

单项选择题在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）

A.钨的导电率比铝更低
B.钨的刻蚀比铝更容易
C.采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力
D.钨与硅的接触性能更好

单项选择题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）

A.溅射物理气相沉积
B.蒸发物理气相沉积
C.等离子增强化学气相沉积
D.低压化学气相沉积

单项选择题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）

A.扩散
B.化学机械抛光
C.刻蚀
D.离子注入

单项选择题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。

A.刻蚀
B.离子注入
C.光刻
D.金属化

单项选择题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）

A.P+、P+
B.P+，N+
C.N+，N+
D.N+，P+