A.Technology文件B.DRC文件C.LVS文件D.Display文件在ICFB中完成一个完整的集成电……

多项选择题下列关于标准单元说法正确的是（）

A.标准单元只能采用单层金属连线，但该层可以是所给金属层次中的任意一层。
B.标准单元的高度和宽度都是固定的。
C.标准单元中必须包含电源线。
D.标准单元中的输入输出引脚要放在网格上，以便于自动绕线。

多项选择题一个标准单元库可包括如下信息（）

A.时序信息
B.逻辑功能信息
C.功耗信息
D.面积信息

单项选择题表面平垣化的方式有很多种，效果最好的方式是（）

A.Ar回蚀法
B.PSG或BPSG的热回流
C.SOG回蚀法
D.化学机械抛光

单项选择题在大马士革铜工艺中，铜薄膜通常采用（）方式获得。

A.物理气相沉积
B.化学气相沉积
C.电化学镀
D.热氧化

单项选择题在0.13um集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是（）

A.铜具有更高的导电率
B.铜具有更低的导电率
C.铜更容易刻蚀加工
D.铜具有更好热导率

单项选择题在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）

A.钨的导电率比铝更低
B.钨的刻蚀比铝更容易
C.采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力
D.钨与硅的接触性能更好

单项选择题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）

A.溅射物理气相沉积
B.蒸发物理气相沉积
C.等离子增强化学气相沉积
D.低压化学气相沉积

单项选择题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）

A.扩散
B.化学机械抛光
C.刻蚀
D.离子注入

单项选择题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。

A.刻蚀
B.离子注入
C.光刻
D.金属化

单项选择题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）

A.P+、P+
B.P+，N+
C.N+，N+
D.N+，P+

单项选择题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A.P阱，P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟

单项选择题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）

A.集成电路制造（晶圆加工）
B.集成电路封装
C.集成电路测试
D.集成电路设计

单项选择题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）

A.第一层多晶硅的面积
B.第二层多晶硅的面积
C.二层多晶硅重叠后的面积

单项选择题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）

A.整个多晶硅的长度
B.多晶硅中两个引线孔中心点的距离
C.多晶硅中两个引线孔内侧的距离
D.多晶硅中两个引线孔外侧的距离

单项选择题在设计Standard cell和6TSRAM的基本单元时，我们通常都要用prboundry layer或者marker layer画一个矩形，覆盖上这个单元里的所有器件，这一层的物理作用是什么？（）

A.没什么物理意义，它只是在做单元拼接的时候起一个标记作用。
B.做联接层。
C.可以当nwell层用。