A.（100）B.（111）C.（110）D.（211）
填空题在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。
填空题铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。
填空题干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。
填空题多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。
填空题制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。
