A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应
多项选择题CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
多项选择题集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。
A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
单项选择题CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。
A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金
单项选择题为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。
A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流
单项选择题以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。
A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀
