A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
多项选择题集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。
A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
单项选择题CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。
A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金
