A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。……

多项选择题集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。

A.外延隔离
B.埋层隔离
C.PN结隔离
D.介质隔离

单项选择题CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。

A.多晶硅
B.金属铝
C.金属铜
D.铝硅铜合金

单项选择题为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。

A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高温回流

单项选择题以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。

A.氧化
B.扩散
C.光刻
D.刻蚀

单项选择题在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应

单项选择题光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。

A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式

单项选择题源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散

单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻

单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区

单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

判断题STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。