A.PSGB.USGC.BSGD.FSG未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。……

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻

单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区

单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化