A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻
单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。
A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。
判断题STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。
