A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
单项选择题CMOS工艺中,将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是()。
A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金
单项选择题为了实现全局平坦化,在集成电路中,经常采用()工艺。
A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流
单项选择题以下工艺中,方块电阻是一个重要的参数,一般用于衡量()工艺中杂质情况。
A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀
单项选择题在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。
A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应
单项选择题光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。
A.接触式B.接近式C.投影式D.步进式
单项选择题源漏注入之后,必须进行()工艺,修复晶格损伤,激活杂质。
A.氧化B.快速热处理C.退火D.扩散
单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜,通常简写为()。
A.PSGB.USGC.BSGD.FSG
单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的()。
A.场氧区B.源、漏C.栅D.有源区
单项选择题显影后,被曝光区域的光刻胶被去除,该种光刻胶称为()。
A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻
单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的,属于绝缘介质隔离。
判断题STI技术相比LOCOS工艺,占地面积更小,而且不会产生鸟嘴效应。
判断题光刻时,必须将硅片与掩模版进行对准,不同的掩模版之间也要对准,可以采用仔细观察的方法。