填空题干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。
填空题多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。
填空题制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。
填空题在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了（）μm。
填空题热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅（）发生的硅的氧化反应。
