填空题多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。
填空题制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。
填空题在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了（）μm。
填空题热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅（）发生的硅的氧化反应。
填空题低压气相外延能降低（）效应，从而降低了外延时的杂质再分布。
