制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。-找考题网

判断题CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。

判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

判断题制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。

判断题制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

判断题采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。

判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。

判断题制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。

判断题linux中命令输完以空格结尾。

判断题全定制设计和半定制设计相比，半定制设计的设计要求更高。

判断题N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。

判断题使用calibre工具做LVS验证时，需要用到设计规则文件。

判断题在calibre做LVS验证时，RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。

判断题电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。

判断题模拟版图绘制中为了增加匹配程度，通常会增加一些电路中不存在的器件，这些器件在版图上也不做任何连接，仅仅放置在实际器件附近，这些额外的器件称dummy。

判断题在标准单元版图自动布线时，一般第1、3、5等层金属走线方向总体相同，相邻两层金属的走线方向总体要求是相互垂直。