判断题制作MOS管时,一般先进行源的注入,再进行漏的注入。
判断题CMOS制作时,源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
判断题制备多晶硅之前先做一层薄氧,这层薄氧是栅氧。
判断题制作场氧区的时候,氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。