判断题采用双阱工艺,可以实现PMOS和NMOS的独立控制。
判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅,可以使得MOS电路特性得到改善,阈值电压下降。
判断题制作MOS管结构时,源漏虽然结构完全对称,但掺杂浓度不同。
判断题linux中命令输完以空格结尾。
判断题全定制设计和半定制设计相比,半定制设计的设计要求更高。
判断题N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。
判断题使用calibre工具做LVS验证时,需要用到设计规则文件。
判断题在calibre做LVS验证时,RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。
判断题电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。
判断题模拟版图绘制中为了增加匹配程度,通常会增加一些电路中不存在的器件,这些器件在版图上也不做任何连接,仅仅放置在实际器件附近,这些额外的器件称dummy。
判断题在标准单元版图自动布线时,一般第1、3、5等层金属走线方向总体相同,相邻两层金属的走线方向总体要求是相互垂直。
判断题版图的布局主要的思路有引线驱动、模块驱动、信号驱动。
判断题一个MOS管其参数中finger width为3.3um,finger为4,则其width为13.2um。
判断题版图中有源区和场区的关系是互补关系。
判断题在MOS管的版图绘制中,若有两个MOS管有源区共用,则可以判定这2个MOS管是串联关系。