判断题制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。
判断题采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。
判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。
判断题制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。
判断题linux中命令输完以空格结尾。
