采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。-找考题网

判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。

判断题制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。

判断题linux中命令输完以空格结尾。

判断题全定制设计和半定制设计相比，半定制设计的设计要求更高。

判断题N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。

判断题使用calibre工具做LVS验证时，需要用到设计规则文件。

判断题在calibre做LVS验证时，RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。

判断题电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。

判断题模拟版图绘制中为了增加匹配程度，通常会增加一些电路中不存在的器件，这些器件在版图上也不做任何连接，仅仅放置在实际器件附近，这些额外的器件称dummy。

判断题在标准单元版图自动布线时，一般第1、3、5等层金属走线方向总体相同，相邻两层金属的走线方向总体要求是相互垂直。

判断题版图的布局主要的思路有引线驱动、模块驱动、信号驱动。

判断题一个MOS管其参数中finger width为3.3um，finger为4，则其width为13.2um。

判断题版图中有源区和场区的关系是互补关系。

判断题在MOS管的版图绘制中，若有两个MOS管有源区共用，则可以判定这2个MOS管是串联关系。

判断题在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形，并可以和多晶层交叠，而不是分别在源、漏各绘制一个掺杂层，其主要原因是因为在工艺中采用自对准工艺。