根据杂质补偿原理，利用热扩散或离子注入的掺杂技术，在N型和P型之间杂质浓度相等处形成PN结。掺杂硅与硅衬底在杂质浓度相等处形成PN结，其结的位置定义为结深。即：pn结的几何位置与扩散层表面的距离。
问答题掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。
问答题根据下图给出的一氧化工艺的菜单实例，试说明： （1）该工艺采用的氧化方法 （2）每一步骤的具体作用（或状态） （3）氮气在整个工艺流程中的作用 （4）工艺过程中加入HCl的主要作用
问答题氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。
问答题什么是氧化层固定电荷？其产生的主要原因是什么？它对半导体器件的电学特性有何影响？工艺中可以用什么办法来解决？
问答题列出Si—SiO2界面处的四种电荷，说明钠离子是属于哪一类电荷，以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题，工艺中如何解决这一问题？
