掺杂被广泛应用于硅片制造的全过程,是改变材料性能,改变晶片电学性质、实现器件和电路纵向结构的重要手段。 利用掺杂技术,可以制作PN结、欧姆接触区、电阻、硅栅和硅互连线。
问答题根据下图给出的一氧化工艺的菜单实例,试说明: (1)该工艺采用的氧化方法 (2)每一步骤的具体作用(或状态) (3)氮气在整个工艺流程中的作用 (4)工艺过程中加入HCl的主要作用
问答题氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。
问答题什么是氧化层固定电荷?其产生的主要原因是什么?它对半导体器件的电学特性有何影响?工艺中可以用什么办法来解决?
问答题列出Si—SiO2界面处的四种电荷,说明钠离子是属于哪一类电荷,以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题,工艺中如何解决这一问题?
问答题试说明高压氧化技术的原理(或依据)及主要作用,并说明高低压氧化各自的控制机制和氧化层厚度的变化规律。