计算题 Si的PN结中N_D=10¹⁶cm^-3、D_P=13cm²/s、L_P=2×10^-3cm、A=10⁵cm²，若规定二极管正向电流达到0.1mA时的电压为阀值电压，问该PN结阀值电压V_i是多少？参数相同的锗PN结V_i是多少？

问答题硅PN结N区电阻率Pn=5Ω·cm、tp=1μs，P区电阻率Pp=0.1Ω·cm、tn=5μs，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时通过PN结的电流密度。

问答题PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip In=Dp Dn，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？

问答题证明反向饱和电流可以改写为。

问答题证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。

问答题现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1017cm-3，求300K时的VD各为多少？说明为什么会有这种差别？