计算题

证明反向饱和电流可以改写为。

问答题证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。

问答题现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1017cm-3，求300K时的VD各为多少？说明为什么会有这种差别？

问答题PN结的扩散电势与哪些因素有关？

问答题写出下列状态下连续性方程的简化形式： （1）无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态； （2）无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生，稳态。

问答题光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。