计算题 现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为N_D=5×10¹⁵cm^-3，N_A=10¹⁷cm^-3，求300K时的V_D各为多少？说明为什么会有这种差别？

问答题PN结的扩散电势与哪些因素有关？

问答题写出下列状态下连续性方程的简化形式： （1）无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态； （2）无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生，稳态。

问答题光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。

问答题有一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品，如果在1μm的范围内，空穴浓度从1016cm-3线性降低到1013cm-3，求空穴的扩散电流密度。

问答题假设有一块掺有1018cm-3施主杂质的硅样品，其截面积为0.2μm×0.5μm，长度为2μm。如果在样品两端加上5V电压，通过样品的电流有多大？电子电流与空穴电流的比值是多少？