问答题PN结两边杂质浓度和宽度均相等,且两边宽度小于相应的少子扩散长度,试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip In=Dp Dn,如果两边宽度均大于相应的扩散长度,结果如何?
问答题证明反向饱和电流可以改写为。
问答题证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。
问答题现有硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3,NA=1017cm-3,求300K时的VD各为多少?说明为什么会有这种差别?
问答题PN结的扩散电势与哪些因素有关?