计算题 硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为N_A=18¹⁸cm^-3、N_D=10¹⁵cm^-3，N区的寿命t_p=10^-5s，且W_n＞L_P，300K下N型锗中D_p=45cm²/s，N型硅中D_p=13cm²/s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？

问答题Si的PN结中ND=1016cm-3、DP=13cm2 s、LP=2×10-3cm、A=105cm2，若规定二极管正向电流达到0.1mA时的电压为阀值电压，问该PN结阀值电压Vi是多少？参数相同的锗PN结Vi是多少？

问答题硅PN结N区电阻率Pn=5Ω·cm、tp=1μs，P区电阻率Pp=0.1Ω·cm、tn=5μs，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时通过PN结的电流密度。

问答题PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip In=Dp Dn，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？

问答题证明反向饱和电流可以改写为。

问答题证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。