A.分子流B.原子流C.紊流D.层流
单项选择题以下哪一个不是连续薄膜的生长方式？（）
A.熔结B.原子填充C.吞并D.原子团迁移
判断题对于LPCVD Si3N4工艺，NH3 DCS比例越小颗粒改善越明显。（）
判断题在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
判断题Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
判断题在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）
