A.熔结B.原子填充C.吞并D.原子团迁移
判断题对于LPCVD Si3N4工艺，NH3 DCS比例越小颗粒改善越明显。（）
判断题在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
判断题Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
判断题在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）
判断题膜的应力要尽可能小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形，所有的淀积都会在膜中产生应力。（）
