计算题 硅扩散PN结，结面积为10^-5cm²，结深为3μm，衬底浓度为N₀=10¹⁵cm^-3，外加电压V=-10V，通过计算比较，势垒电容取哪种更为合理？若结深为，其余参数不变，做那种近似合理？

问答题理想硅PN结，ND=1016cm-3，在IV正偏压下，求N型中性区内存储的少数载流子总量。

问答题试计算温度从300K增加至400K时，硅PN结反向电流增大多少倍？如果25℃时某锗PN结反向电流为10μA，当温度上升到45℃时反向电流有多大？

问答题硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3，N区的寿命tp=10-5s，且Wn＞LP，300K下N型锗中Dp=45cm2 s，N型硅中Dp=13cm2 s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？

问答题Si的PN结中ND=1016cm-3、DP=13cm2 s、LP=2×10-3cm、A=105cm2，若规定二极管正向电流达到0.1mA时的电压为阀值电压，问该PN结阀值电压Vi是多少？参数相同的锗PN结Vi是多少？

问答题硅PN结N区电阻率Pn=5Ω·cm、tp=1μs，P区电阻率Pp=0.1Ω·cm、tn=5μs，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时通过PN结的电流密度。